根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布的最新預(yù)測，2026年第二季度全球存儲芯片市場漲價趨勢將全面加劇。DRAM和NAND Flash兩大主流芯片的合約價預(yù)計將大幅上揚(yáng)，其主要驅(qū)動因素是人工智能(AI)及數(shù)據(jù)中心需求的持續(xù)爆發(fā)，導(dǎo)致原廠將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，進(jìn)而擠壓了其他消費(fèi)領(lǐng)域的供應(yīng)。

　　‌各產(chǎn)品線預(yù)計漲幅如下：‌

　　‌DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)‌：預(yù)計所有類型的DRAM芯片合約價在第二季度環(huán)比增長‌58%-63%‌。

　　‌NAND Flash(閃存)‌：預(yù)計全產(chǎn)品線整體合約價格環(huán)比上漲‌70%-75%‌。

　　‌漲價背后的關(guān)鍵原因包括：‌

　　‌產(chǎn)能被高端需求虹吸‌：存儲芯片制造商正積極將產(chǎn)能優(yōu)先分配給利潤更高的AI服務(wù)器用存儲芯片(如高帶寬存儲器HBM和服務(wù)器DRAM)。同時，PC、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品所需的存儲芯片供給則受到大幅擠壓。

　　‌供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)性緊缺‌：

　　‌PC DRAM‌：盡管整機(jī)市場需求有調(diào)整跡象，但由于原廠供貨量主動縮減，PC制造商仍需加價采購。

　　‌服務(wù)器DRAM‌：尤其在大容量RDIMM規(guī)格上，因北美云服務(wù)提供商對AI推理服務(wù)器的需求旺盛，成為原廠獲利核心，短期內(nèi)供需極度緊張。

　　‌消費(fèi)級DRAM‌：圖形和通用消費(fèi)級DRAM同樣面臨供應(yīng)不足，甚至部分存儲器模塊的成本已高于整塊消費(fèi)品的售價。

　　‌NAND Flash市場連鎖反應(yīng)‌：

　　制造商通過升級制程和提高QLC(四層單元)閃存比例來增加產(chǎn)出的效果有限。

　　AI服務(wù)器市場對高速企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)的需求極為強(qiáng)勁，導(dǎo)致相關(guān)訂單持續(xù)增長。產(chǎn)能吃緊的局面預(yù)計將持續(xù)至2027年底至2028年新產(chǎn)能大規(guī)模開出的時期。

　　低利潤的eMMC/UFS等嵌入式存儲產(chǎn)品，由于與利潤更高的企業(yè)級SSD使用相似制程，其供應(yīng)短缺尤為嚴(yán)重。

　　PC和智能手機(jī)廠商為了控制整機(jī)成本，已開始考慮或執(zhí)行削減設(shè)備存儲容量的策略。

　　‌總結(jié)與展望‌

　　TrendForce報告指出，AI算力競賽已從最高端的HBM內(nèi)存向整個存儲產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)，引發(fā)全面的產(chǎn)能排擠效應(yīng)。分析師預(yù)測，這種由AI需求主導(dǎo)的全行業(yè)價格普漲局面，在2026年內(nèi)將很難得到逆轉(zhuǎn)。