據(jù)報(bào)道，國(guó)內(nèi)NAND閃存領(lǐng)軍企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)正計(jì)劃大幅擴(kuò)張其制造版圖。除了今年即將完工的第三座晶圓廠外，該公司還計(jì)劃再增建兩座新廠。這三座新工廠全部建成并全面投產(chǎn)后，將使公司總產(chǎn)能在當(dāng)前基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)超過(guò)一倍的躍升。

　　目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)擁有兩座已投入量產(chǎn)的晶圓廠，其合計(jì)月產(chǎn)能已達(dá)20萬(wàn)片。新建的三座工廠均計(jì)劃部署更為先進(jìn)的制造工藝，每座工廠的單體月產(chǎn)能預(yù)計(jì)均可達(dá)10萬(wàn)片，為現(xiàn)有產(chǎn)能結(jié)構(gòu)提供有力補(bǔ)充。

　　據(jù)悉，新建的第三工廠選址湖北武漢，與現(xiàn)有兩座工廠位于同一生產(chǎn)基地。該廠區(qū)大樓現(xiàn)已竣工，正處于關(guān)鍵的設(shè)備安裝調(diào)試階段。值得一提的是，超過(guò)一半的產(chǎn)線設(shè)備來(lái)自國(guó)內(nèi)供應(yīng)商，其中更是包含了用于實(shí)現(xiàn)芯片層垂直堆疊的核心關(guān)鍵設(shè)備，展現(xiàn)出國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈的日益成熟。

　　據(jù)業(yè)內(nèi)消息披露，新建的三座工廠均將在未來(lái)規(guī)劃中為DRAM產(chǎn)品預(yù)留一部分產(chǎn)能。不過(guò)，具體的DRAM產(chǎn)能分配比例，將最終取決于長(zhǎng)江存儲(chǔ)在相關(guān)芯片技術(shù)上的研發(fā)與量產(chǎn)進(jìn)展。

　　來(lái)自Counterpoint的市場(chǎng)追蹤數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全球影響力持續(xù)攀升。截至2025年第三季度，該公司在全球NAND閃存市場(chǎng)的出貨量份額首次突破13%，直接對(duì)第四名的美光科技構(gòu)成有力沖擊。隨著產(chǎn)能建設(shè)的穩(wěn)步推進(jìn)，其年產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從2025年的177萬(wàn)片增長(zhǎng)到2026年的近200萬(wàn)片。

　　此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上也取得了重要突破。其基于Xtacking 4.0架構(gòu)研發(fā)的294層3D TLC NAND已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段，該產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度達(dá)到20Gb/mm²，讀寫速度超過(guò)7000MB/s，生產(chǎn)良率更已突破90%。這些關(guān)鍵性能指標(biāo)均已達(dá)到并部分超越了國(guó)際主流產(chǎn)品的技術(shù)水平。