有報道指出，三星、SK海力士和美光等主要DRAM制造商已啟動了DDR6的開發(fā)，專注于芯片設(shè)計、控制器驗證和封裝模塊的集成。目前，這些廠商已完成DDR6原型芯片的設(shè)計，并正與英特爾、AMD等平臺廠商合作進行接口測試。

　　根據(jù)行業(yè)消息，三星、SK海力士和美光近期與基板供應商協(xié)調(diào)，推進DDR6內(nèi)存模塊的開發(fā)，包括厚度、堆疊結(jié)構(gòu)和布線等細節(jié)。原型產(chǎn)品已在JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會的監(jiān)督下進入生產(chǎn)和驗證階段。

　　JEDEC于2024年發(fā)布了DDR6的初步草案，在性能和架構(gòu)上實現(xiàn)重大進步。其轉(zhuǎn)向多通道設(shè)計，采用4×24位子通道，不同于DDR5的2×32位設(shè)置，提升了并行處理、數(shù)據(jù)流和帶寬利用效率，但也對模塊I/O設(shè)計和信號完整性提出更高要求。

　　預計DDR6速率將從8.8 Gbps起步，最高可達17.6 Gbps，甚至可能擴展至21 Gbps。同時，DDR6支持新的CAMM2標準，取代傳統(tǒng)的SO-DIMM和DIMM標準，提供更高帶寬、密度和更低阻抗，并解決了傳統(tǒng)內(nèi)存插槽的物理限制。

　　當前，行業(yè)已完成向DDR5的過渡，去年服務器市場的占比超80%，今年預計達90%。DDR6標準規(guī)范的發(fā)布曾因厚度、信號使用、功率范圍等細節(jié)未定而延遲，但隨著DRAM制造商加速開發(fā)，預計2028年至2029年間實現(xiàn)商業(yè)化應用。