2026年，三星晶圓代工業(yè)務(wù)迎來積極信號(hào)，其2nm制程節(jié)點(diǎn)的研發(fā)與客戶接洽均進(jìn)展順利。最新動(dòng)態(tài)顯示，三星2nm GAA工藝良品率已攀升至60%，正穩(wěn)步邁向70%的目標(biāo)值。
根據(jù)行業(yè)分析，三星正加碼對(duì)前沿半導(dǎo)體技術(shù)的投資，目標(biāo)在2030年前完成1nm制程節(jié)點(diǎn)的研發(fā)，并于同年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，以確立其在下一代先進(jìn)制程代工市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。與此同時(shí)，公司還計(jì)劃深化2nm節(jié)點(diǎn)的布局，拓展不同細(xì)分工藝組合，以進(jìn)一步吸引核心客戶。
在1nm節(jié)點(diǎn)上，三星預(yù)計(jì)將采用全新的“Forksheet”叉片晶體管架構(gòu)。這實(shí)際上是對(duì)其從3nm節(jié)點(diǎn)引入的GAA(全環(huán)繞柵極)晶體管技術(shù)的進(jìn)一步升級(jí)。GAA結(jié)構(gòu)將電流通道從原有的三個(gè)面擴(kuò)展至四個(gè)面，優(yōu)化了功耗效率;而Forksheet技術(shù)則在此之上，通過引入絕緣墻來縮小晶體管間距，能更有效地利用芯片空間，從而在相同面積內(nèi)集成更多晶體管。
此前，三星已在SAFE 2025活動(dòng)上展示了其第三代2nm工藝“SF2P+”。此外，專為特斯拉AI6芯片開發(fā)的定制工藝“SF2T”也在推進(jìn)中。三星計(jì)劃于今年開始部署其第三代2nm基礎(chǔ)工藝(SF2P)，并在明年上線增強(qiáng)版本(SF2P+)。
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